普赛斯IGBT功率器件静态参数测试系统,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,拥有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。

普赛斯IGBT功率器件静态参数测试系统配置由多种测量单元模块组合而成,系统模块化的设计可以极大方便客户添加或升级测量模块,适应测量功率器件持续变化的需求。详询一八一四零六六三四七六；“双高”系统优势

高电压、大电流

拥有高电压测量/输出能力,电压高达3500V(Z大可扩展至10kV)

拥有大电流测量/输出能力,电流高达6000A(多模块并联)

高精密度测量

nA级漏电流,

μΩ级导通电阻

0.1%精度测量

模块化配置

可以按照实际测试需要灵活配置多种测量单元系统预留升级空间,后期可添加或升级测量单元

测试高效

内置专用开关矩阵,按照测试项目自动切换电路与测量单元

支持国家标准全指标的一键测试

扩展性好

支持常温及高温测试可灵活定制各类夹具测试项目集电极-发射极电压Vces，集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat集电极截至电流Ices、栅极漏电流Iges栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)输入电容、输出电容、反向传输电容续流二极管压降VfI-V特性曲线扫描，C-V特性曲线扫描等